Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI7956DP-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6378366Зображення SI7956DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7956DP-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$1.918
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7956DP-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7956DP-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 4.1A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.4W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Інші імена
    SI7956DP-T1-E3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    150V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.6A
  • Номер базової частини
    SI7956

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7956DP-T1-E3".
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7980DP-T1-E3

SI7980DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7946DP-T1-E3

SI7946DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7942DP-T1-E3

SI7942DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7945DP-T1-GE3

SI7945DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7942DP-T1-GE3

SI7942DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.