Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI7946DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4185579Зображення SI7946DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7946DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7946DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7946DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.4W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Інші імена
    SI7946DP-T1-GE3TR
    SI7946DPT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    150V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.1A
  • Номер базової частини
    SI7946

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7946DP-T1-GE3".
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7945DP-T1-GE3

SI7945DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7946DP-T1-E3

SI7946DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7925DN-T1-GE3

SI7925DN-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7942DP-T1-GE3

SI7942DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7940DP-T1-E3

SI7940DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7942DP-T1-E3

SI7942DP-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.