Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7382DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5919792Зображення SI7382DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7382DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7382DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 24A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.8W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    40nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 14A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    14A (Ta)
SI7392ADP-T1-GE3

SI7392ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7384DP-T1-GE3

SI7384DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7370ADP-T1-GE3

SI7370ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7384DP-T1-E3

SI7384DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7368DP-T1-E3

SI7368DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7374DP-T1-E3

SI7374DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7388DP-T1-GE3

SI7388DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7380ADP-T1-E3

SI7380ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7390DP-T1-E3

SI7390DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7390DP-T1-GE3

SI7390DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7392ADP-T1-E3

SI7392ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7368DP-T1-GE3

SI7368DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7382DP-T1-E3

SI7382DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7370DP-T1-E3

SI7370DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7386DP-T1-E3

SI7386DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7380ADP-T1-GE3

SI7380ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7386DP-T1-GE3

SI7386DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7388DP-T1-E3

SI7388DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7370DP-T1-GE3

SI7370DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI7374DP-T1-GE3

SI7374DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти