Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI4916DY-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2260140

SI4916DY-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.38
10+
$1.22
100+
$0.964
500+
$0.748
1000+
$0.59
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4916DY-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4916DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 10A, 10V
  • Потужність - Макс
    3.3W, 3.5W
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4916DY-T1-E3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    10A, 10.5A
  • Номер базової частини
    SI4916

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4916DY-T1-E3".
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.