Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI4910DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3702968

SI4910DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4910DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4910DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    27 mOhm @ 6A, 10V
  • Потужність - Макс
    3.1W
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4910DY-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    855pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Standard
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.6A
  • Номер базової частини
    SI4910

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4910DY-T1-GE3".
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.