Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4620DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4022772

SI4620DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4620DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4620DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2W (Ta), 3.1W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4620DY-T1-GE3TR
    SI4620DYT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1040pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 6A (Ta), 7.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta), 7.5A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4620DY-T1-GE3".
SI4620DY-T1-E3

SI4620DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4614-A10-GMR

SI4614-A10-GMR

Опис: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4613-A10-GM

SI4613-A10-GM

Опис: IC DGTL HD RADIO AM/FM LP 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4622-A10-AMR

SI4622-A10-AMR

Опис: IC DGTL HD RADIO FM HP SGL 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4618DY-T1-GE3

SI4618DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4624-A10-GM

SI4624-A10-GM

Опис: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4618DY-T1-E3

SI4618DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4614-A10-AM

SI4614-A10-AM

Опис: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4624-A10-AM

SI4624-A10-AM

Опис: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4614-A10-GM

SI4614-A10-GM

Опис: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4622DY-T1-E3

SI4622DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4622-A10-GMR

SI4622-A10-GMR

Опис: IC DGTL HD RADIO FM HP SGL 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4614-A10-AMR

SI4614-A10-AMR

Опис: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4624-A10-AMR

SI4624-A10-AMR

Опис: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4621DY-T1-E3

SI4621DY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4622-A10-GM

SI4622-A10-GM

Опис: IC DGTL HD RADIO FM HP SGL 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4613-A10-GMR

SI4613-A10-GMR

Опис: IC DGTL HD RADIO AM/FM LP 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4613-A10-AMR

SI4613-A10-AMR

Опис: IC DGTL HD RADIO AM/FM LP 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4622DY-T1-GE3

SI4622DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4622-A10-AM

SI4622-A10-AM

Опис: IC DGTL HD RADIO FM HP SGL 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.