Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4434DY-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
377027

SI4434DY-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$1.239
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4434DY-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4434DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    155 mOhm @ 3A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.56W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4434DY-T1-E3TR
    SI4434DYT1E3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    250V
  • Детальний опис
    N-Channel 250V 2.1A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.1A (Ta)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4434DY-T1-E3".
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Опис: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.