Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4435DY
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2420708Зображення SI4435DYAMI Semiconductor / ON Semiconductor

SI4435DY

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.426
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4435DY
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4435DY.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 8.8A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.5W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4435DYFSTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    26 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1604pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    24nC @ 5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    8.8A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4435DY".
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.