Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4122DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3979926

SI4122DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.971
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4122DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4122DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±25V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4122DY-T1-GE3TR
    SI4122DYT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4200pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 27.2A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    27.2A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4122DY-T1-GE3".
SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4122M-EVB

SI4122M-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4115G-BM

SI4115G-BM

Опис: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4123-D-GMR

SI4123-D-GMR

Опис: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4123-D-GTR

SI4123-D-GTR

Опис: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4123-D-GT

SI4123-D-GT

Опис: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4123-D-GM

SI4123-D-GM

Опис: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

Опис: BOARD EVAL SI4114G-BM

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4123-BM

SI4123-BM

Опис: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-D-GT

SI4122-D-GT

Опис: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-EVB

SI4122-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-D-GM

SI4122-D-GM

Опис: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4123-EVB

SI4123-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4123-BT

SI4123-BT

Опис: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-BT

SI4122-BT

Опис: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4123M-EVB

SI4123M-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-D-GTR

SI4122-D-GTR

Опис: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-D-GMR

SI4122-D-GMR

Опис: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.