Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4116DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5978576

SI4116DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.32
10+
$1.171
100+
$0.926
500+
$0.718
1000+
$0.567
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4116DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4116DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    8.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4116DY-T1-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1925pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    25V
  • Детальний опис
    N-Channel 25V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4116DY-T1-GE3".
SI4122-EVB

SI4122-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122DY-T1-GE3

SI4122DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4114G-B-GM

SI4114G-B-GM

Опис: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4123-BT

SI4123-BT

Опис: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4113-EVB

SI4113-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-D-GMR

SI4122-D-GMR

Опис: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4115G-BM

SI4115G-BM

Опис: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122M-EVB

SI4122M-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4113-D-ZT1

SI4113-D-ZT1

Опис: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4114G-BM

SI4114G-BM

Опис: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4123-BM

SI4123-BM

Опис: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

Опис: BOARD EVAL SI4114G-BM

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-D-GM

SI4122-D-GM

Опис: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-BT

SI4122-BT

Опис: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-D-GTR

SI4122-D-GTR

Опис: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4122-D-GT

SI4122-D-GT

Опис: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4113M-EVB

SI4113M-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.