Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI3586DV-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6005347Зображення SI3586DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3586DV-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI3586DV-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI3586DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    6-TSOP
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    830mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Інші імена
    SI3586DV-T1-GE3TR
    SI3586DVT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.9A, 2.1A
  • Номер базової частини
    SI3586

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI3586DV-T1-GE3".
SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3500-A-GM

SI3500-A-GM

Опис: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3812DV-T1-GE3

SI3812DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3831DV-T1-E3

SI3831DV-T1-E3

Опис: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3805DV-T1-E3

SI3805DV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3831DV-T1-GE3

SI3831DV-T1-GE3

Опис: IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3500-A-GMR

SI3500-A-GMR

Опис: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.