Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI3529DV-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6330926Зображення SI3529DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3529DV-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI3529DV-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI3529DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    6-TSOP
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.4W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    205pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.5A, 1.95A

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI3529DV-T1-GE3".
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3493DV-T1-GE3

SI3493DV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3495DV-T1-E3

SI3495DV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3499DV-T1-E3

SI3499DV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3493DDV-T1-GE3

SI3493DDV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3495DV-T1-GE3

SI3495DV-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3493DV-T1-E3

SI3493DV-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3500-A-GMR

SI3500-A-GMR

Опис: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3500-A-GM

SI3500-A-GM

Опис: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.