Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > RS3DHE3/9AT
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2559643Зображення RS3DHE3/9ATElectro-Films (EFI) / Vishay

RS3DHE3/9AT

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RS3DHE3/9AT
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.3V @ 2.5A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    200V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-214AB (SMC)
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Зворотний час відновлення (trr)
    150ns
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-214AB, SMC
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    10µA @ 200V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    3A
  • Ємність @ Vr, F
    44pF @ 4V, 1MHz
  • Номер базової частини
    RS3D
RS3D-13-F

RS3D-13-F

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Опис: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Опис: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RS3G M6G

RS3G M6G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS3D-13

RS3D-13

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RS3D V7G

RS3D V7G

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS3D-E3/9AT

RS3D-E3/9AT

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS3DB-13

RS3DB-13

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS3G V7G

RS3G V7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Опис: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RS3G R7G

RS3G R7G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Опис: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти