Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IRFBE30SPBF
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6591356Зображення IRFBE30SPBFElectro-Films (EFI) / Vishay

IRFBE30SPBF

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.70
50+
$2.976
100+
$2.711
500+
$2.195
1000+
$1.852
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IRFBE30SPBF
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IRFBE30SPBF.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D2PAK
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    125W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    *IRFBE30SPBF
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    18 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    800V
  • Детальний опис
    N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.1A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IRFBE30SPBF".
IRFBF20SPBF

IRFBF20SPBF

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30L

IRFBE30L

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBF20LPBF

IRFBF20LPBF

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBF20L

IRFBF20L

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20STRL

IRFBE20STRL

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30S

IRFBE30S

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20STRR

IRFBE20STRR

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30STRL

IRFBE30STRL

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBF20STRL

IRFBF20STRL

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBF20PBF

IRFBF20PBF

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBF20S

IRFBF20S

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30STRLPBF

IRFBE30STRLPBF

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20PBF

IRFBE20PBF

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20S

IRFBE20S

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30

IRFBE30

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20L

IRFBE20L

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30STRR

IRFBE30STRR

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBF20

IRFBF20

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.