Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IRFBE20PBF
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2502737Зображення IRFBE20PBFElectro-Films (EFI) / Vishay

IRFBE20PBF

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.61
50+
$1.284
100+
$1.124
500+
$0.872
1000+
$0.688
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IRFBE20PBF
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.IRFBE20PBF.pdf
    2.IRFBE20PBF.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220AB
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    54W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3
  • Інші імена
    *IRFBE20PBF
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    18 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    530pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    800V
  • Детальний опис
    N-Channel 800V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IRFBE20PBF".
IRFBC40PBF

IRFBC40PBF

Опис: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30STRL

IRFBE30STRL

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30S

IRFBE30S

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBC40STRLPBF

IRFBC40STRLPBF

Опис: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20STRR

IRFBE20STRR

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBC40LCSTRR

IRFBC40LCSTRR

Опис: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20L

IRFBE20L

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Опис: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30

IRFBE30

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20

IRFBE20

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20S

IRFBE20S

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE20STRL

IRFBE20STRL

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30SPBF

IRFBE30SPBF

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBC40S

IRFBC40S

Опис: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBC40STRR

IRFBC40STRR

Опис: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBC40SPBF

IRFBC40SPBF

Опис: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBE30L

IRFBE30L

Опис: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFBC40LPBF

IRFBC40LPBF

Опис: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.