Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > ZXMN7A11GTA
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4617038Зображення ZXMN7A11GTADiodes Incorporated

ZXMN7A11GTA

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$0.386
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ZXMN7A11GTA
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    ZXMN7A11GTA.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-223
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 4.4A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Інші імена
    ZXMN7A11GTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    298pF @ 40V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7.4nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    70V
  • Детальний опис
    N-Channel 70V 2.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "ZXMN7A11GTA".
ZXMP10A17E6TA

ZXMP10A17E6TA

Опис: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMP10A17GQTA

ZXMP10A17GQTA

Опис: MOSFET P-CH 100V SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMP10A17GQTC

ZXMP10A17GQTC

Опис: MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Опис: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Опис: MOSFET N-CH 60V 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Опис: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA

Опис: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Опис: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Опис: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Опис: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Опис: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC

Опис: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Опис: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Опис: MOSFET N-CH 60V DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA

Опис: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.