Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > ZXMN10A25GTA
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4135205Зображення ZXMN10A25GTADiodes Incorporated

ZXMN10A25GTA

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$0.593
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ZXMN10A25GTA
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    1.ZXMN10A25GTA.pdf
    2.ZXMN10A25GTA.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-223
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Інші імена
    ZXMN10A25G
    ZXMN10A25GTATR
    ZXMN10A25GTR
    ZXMN10A25GTR-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    859pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "ZXMN10A25GTA".
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6TC

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Опис: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Опис: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Опис: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC

Опис: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC

Опис: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2069FTA

ZXMN2069FTA

Опис: MOSFET N-CH SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Опис: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.