Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > ZXMN10A08E6TA
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6583123Зображення ZXMN10A08E6TADiodes Incorporated

ZXMN10A08E6TA

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.71
10+
$0.597
100+
$0.448
500+
$0.328
1000+
$0.254
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ZXMN10A08E6TA
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    ZXMN10A08E6TA.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-26
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.1W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6
  • Інші імена
    ZXMN10A08E6CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "ZXMN10A08E6TA".
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Опис: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Опис: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Опис: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Опис: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Опис: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Опис: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Опис: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Опис: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Опис: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Опис: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Опис: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Опис: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.