Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMT6010SCT
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1629012

DMT6010SCT

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.61
50+
$1.288
100+
$1.127
500+
$0.874
1000+
$0.69
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMT6010SCT
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMT6010SCT.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.3W (Ta), 104W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3
  • Інші імена
    DMT6010SCTDI-5
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1940pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    36.3nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 98A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    98A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMT6010SCT".
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Опис: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Опис: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 11A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Опис: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Опис: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Опис: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.