Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN95H8D5HCTI
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2423682Зображення DMN95H8D5HCTIDiodes Incorporated

DMN95H8D5HCTI

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.53
50+
$1.224
100+
$1.071
500+
$0.83
1000+
$0.656
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN95H8D5HCTI
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMN95H8D5HCTI.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    ITO-220AB
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    7 Ohm @ 1A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    30W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Інші імена
    DMN95H8D5HCTI-ND
    DMN95H8D5HCTIDI
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    Not Applicable
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    470pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7.9nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    950V
  • Детальний опис
    N-Channel 950V 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    -

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN95H8D5HCTI".
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Опис: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNF1-288FIB-C

DMNF1-288FIB-C

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNF1-285FIB-C

DMNF1-285FIB-C

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNF1-488-C

DMNF1-488-C

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Опис: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Опис: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Опис: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Опис: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Опис: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNF1-288FIB-3K

DMNF1-288FIB-3K

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNF1-285FIB-3K

DMNF1-285FIB-3K

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNF1-485FIB-3K

DMNF1-485FIB-3K

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNF1-488FIB-C

DMNF1-488FIB-C

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Опис: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNF1-288-C

DMNF1-288-C

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Опис: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNF1-488FIB-M

DMNF1-488FIB-M

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.