Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN7022LFG-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4601388Зображення DMN7022LFG-7Diodes Incorporated

DMN7022LFG-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.91
10+
$0.796
100+
$0.614
500+
$0.455
1000+
$0.364
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN7022LFG-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN7022LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI3333-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7.2A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    900mW (Ta)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    8-PowerWDFN
  • Інші імена
    DMN7022LFG-7DIDKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2737pF @ 35V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    56.5nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    75V
  • Детальний опис
    N-Channel 75V 7.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.8A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN7022LFG-7".
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Опис: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Опис: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Опис: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Опис: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI

Опис: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Опис: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Опис: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Опис: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Опис: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Опис: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Опис: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.