Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN53D0LQ-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5507388Зображення DMN53D0LQ-7Diodes Incorporated

DMN53D0LQ-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.073
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN53D0LQ-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN53D0LQ-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    370mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    DMN53D0LQ-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    12 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    46pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    50V
  • Детальний опис
    N-Channel 50V 500mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN53D0LQ-7".
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN55D0UTQ-7

DMN55D0UTQ-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06-7

DMN5L06-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Опис: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06DMKQ-7

DMN5L06DMKQ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06DW-7

DMN5L06DW-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Опис: MOSFET N-CH 50V SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06DMK-7

DMN5L06DMK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN55D0UT-7

DMN55D0UT-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Опис: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.