Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN4800LSSL-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4727881Зображення DMN4800LSSL-13Diodes Incorporated

DMN4800LSSL-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.56
10+
$0.474
100+
$0.355
500+
$0.261
1000+
$0.201
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN4800LSSL-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN4800LSSL-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 8A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.46W (Ta)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    DMN4800LSSL-13DIDKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    798pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    8.7nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 8A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN4800LSSL-13".
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Опис: MOSFET N-CH 50V SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Опис: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Опис: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Опис: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Опис: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.