Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN3008SFG-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
306958Зображення DMN3008SFG-13Diodes Incorporated

DMN3008SFG-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.308
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN3008SFG-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN3008SFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI3333-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.6 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    900mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerWDFN
  • Інші імена
    DMN3008SFG-13DI
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3690pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 17.6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    17.6A (Ta)

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN3008SFG-13".
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Опис: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Опис: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Опис: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Опис: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Опис: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Опис: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Опис: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.