Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN2004WK-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1761939Зображення DMN2004WK-7Diodes Incorporated

DMN2004WK-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.104
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN2004WK-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN2004WK-7.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-323
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    550 mOhm @ 540mA, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    200mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Інші імена
    DMN2004WK7
    DMN2004WKDITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    150pF @ 16V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 540mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    540mA (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN2004WK-7".
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Опис: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Опис: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Опис: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Опис: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Опис: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Опис: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Опис: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.