Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN1032UCB4-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3711349Зображення DMN1032UCB4-7Diodes Incorporated

DMN1032UCB4-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.235
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN1032UCB4-7
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    U-WLB1010-4
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    26 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    900mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    4-UFBGA, WLBGA
  • Інші імена
    DMN1032UCB4-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    21 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    450pF @ 6V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.5nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    12V
  • Детальний опис
    N-Channel 12V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.8A (Ta)
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Опис: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Опис: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Опис: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Опис: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Опис: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH30V SC-59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Опис: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Опис: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти