Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN1016UCB6-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2718469Зображення DMN1016UCB6-7Diodes Incorporated

DMN1016UCB6-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.25
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN1016UCB6-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN1016UCB6-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    U-WLB1510-6
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    920mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-UFBGA, WLBGA
  • Інші імена
    DMN1016UCB6-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    6 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    423pF @ 6V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.2nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    12V
  • Детальний опис
    N-Channel 12V 5.5A (Ta) 920mW (Ta) Surface Mount U-WLB1510-6
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5.5A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN1016UCB6-7".
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH30V SC-59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN100-7-F

DMN100-7-F

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1004UFV-13

DMN1004UFV-13

Опис: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Опис: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Опис: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Опис: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1003UCA6-7

DMN1003UCA6-7

Опис: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Опис: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

Опис: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Опис: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Опис: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1002UCA6-7

DMN1002UCA6-7

Опис: MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH30V SC-59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.