Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMG4468LK3-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2320072Зображення DMG4468LK3-13Diodes Incorporated

DMG4468LK3-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.70
10+
$0.592
100+
$0.444
500+
$0.326
1000+
$0.252
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMG4468LK3-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMG4468LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.95V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.68W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    DMG4468LK3-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    867pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    18.85nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 9.7A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    9.7A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMG4468LK3-13".
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Опис: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Опис: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Опис: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Опис: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Опис: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Опис: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Опис: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Опис: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.