Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMG4466SSS-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6864431Зображення DMG4466SSS-13Diodes Incorporated

DMG4466SSS-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.55
10+
$0.435
100+
$0.299
500+
$0.205
1000+
$0.154
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMG4466SSS-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMG4466SSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±25V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SOP
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.42W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    DMG4466SSS-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    478.9pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 10A (Ta) 1.42W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMG4466SSS-13".
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Опис: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Опис: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Опис: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Опис: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Опис: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Опис: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Опис: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Опис: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.