Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > AS4C8M16SA-6BANTR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6766653Зображення AS4C8M16SA-6BANTRAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16SA-6BANTR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$3.659
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AS4C8M16SA-6BANTR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    12ns
  • Напруга - Постачання
    3 V ~ 3.6 V
  • Технологія
    SDRAM
  • Пакет пристрою постачальника
    54-TFBGA (8x8)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q100
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    54-TFBGA
  • Робоча температура
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    128Mb (8M x 16)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Детальний опис
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA (8x8)
  • Часова частота
    166MHz
  • Час доступу
    5ns
AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16S-6TIN

AS4C8M16S-6TIN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-6TANTR

AS4C8M16SA-6TANTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-7BCNTR

AS4C8M16SA-7BCNTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-6BAN

AS4C8M16SA-6BAN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16S-7TCNTR

AS4C8M16S-7TCNTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16S-7BCNTR

AS4C8M16S-7BCNTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16S-6TCNTR

AS4C8M16S-6TCNTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-6TAN

AS4C8M16SA-6TAN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16S-7TCN

AS4C8M16S-7TCN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16S-6TCN

AS4C8M16S-6TCN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-6BIN

AS4C8M16SA-6BIN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-6TCNTR

AS4C8M16SA-6TCNTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16SA-6BINTR

AS4C8M16SA-6BINTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16S-6TINTR

AS4C8M16S-6TINTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16S-7BCN

AS4C8M16S-7BCN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти