Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > AS4C64M8D3-12BINTR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3377892Зображення AS4C64M8D3-12BINTRAlliance Memory, Inc.

AS4C64M8D3-12BINTR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$3.049
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AS4C64M8D3-12BINTR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
  • Напруга - Постачання
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR3
  • Пакет пристрою постачальника
    78-FBGA (8x10.5)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    78-VFBGA
  • Робоча температура
    -40°C ~ 95°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    512Mb (64M x 8)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR3 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (8x10.5)
  • Часова частота
    800MHz
  • Час доступу
    20ns
AS4C64M8D3-12BCNTR

AS4C64M8D3-12BCNTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D3L-12BCNTR

AS4C64M8D3L-12BCNTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D3L-12BIN

AS4C64M8D3L-12BIN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D2-25BAN

AS4C64M8D2-25BAN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D2-25BANTR

AS4C64M8D2-25BANTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D2-25BCN

AS4C64M8D2-25BCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D3-12BCN

AS4C64M8D3-12BCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D3L-12BCN

AS4C64M8D3L-12BCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D2-25BINTR

AS4C64M8D2-25BINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8SA-7TCN

AS4C64M8SA-7TCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D2-25BIN

AS4C64M8D2-25BIN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D2-25BCNTR

AS4C64M8D2-25BCNTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C64M8D3-12BIN

AS4C64M8D3-12BIN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти