Будинок > Продукти > Інтегровані схеми (ICS) > Пам'ять > AS4C1M16S-6TINTR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4347833Зображення AS4C1M16S-6TINTRAlliance Memory, Inc.

AS4C1M16S-6TINTR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$1.567
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AS4C1M16S-6TINTR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    2ns
  • Напруга - Постачання
    3 V ~ 3.6 V
  • Технологія
    SDRAM
  • Пакет пристрою постачальника
    50-TSOP II
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    16Mb (1M x 16)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 50-TSOP II
  • Часова частота
    166MHz
  • Час доступу
    5.4ns
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Опис: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Опис: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Опис: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Опис: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C256M16D3-12BCNTR

AS4C256M16D3-12BCNTR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Опис:

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Опис: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C256M16D3-12BINTR

AS4C256M16D3-12BINTR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C256M16D3A-12BAN

AS4C256M16D3A-12BAN

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C256M16D3A-12BANTR

AS4C256M16D3A-12BANTR

Опис: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Опис: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Опис: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти