Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > AS4C128M16D2-25BCNTR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3879093Зображення AS4C128M16D2-25BCNTRAlliance Memory, Inc.

AS4C128M16D2-25BCNTR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$8.407
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AS4C128M16D2-25BCNTR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR2
  • Пакет пристрою постачальника
    84-FBGA (10.5x13.5)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    84-TFBGA
  • Робоча температура
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    2Gb (128M x 16)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 84-FBGA (10.5x13.5)
  • Часова частота
    400MHz
AS4508M

AS4508M

Опис: SPEAKER 8OHM 1W 84DB

Виробники: PUI Audio, Inc.
В наявності
AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D2-25BCN

AS4C128M16D2-25BCN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431IANTR-G1

AS431IANTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS4C128M16D3-12BCN

AS4C128M16D3-12BCN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431IBNTR-G1

AS431IBNTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS4C128M16D3-12BANTR

AS4C128M16D3-12BANTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431IBRTR-G1

AS431IBRTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS4C128M16D2A-25BCNTR

AS4C128M16D2A-25BCNTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431HMANTR-G1

AS431HMANTR-G1

Опис: IC VREG SHUNT REGULATOR SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS4C128M16D3-12BCNTR

AS4C128M16D3-12BCNTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431HMBNTR-G1

AS431HMBNTR-G1

Опис: VREG SHUNT REGULATOR SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS4C128M16D2-25BINTR

AS4C128M16D2-25BINTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431IBZTR-G1

AS431IBZTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS431IAZTR-G1

AS431IAZTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ TO92

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D2A-25BINTR

AS4C128M16D2A-25BINTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D3-12BAN

AS4C128M16D3-12BAN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431IARTR-G1

AS431IARTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти