Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Аудіопродукції > Спікери > AS4508M
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3818773

AS4508M

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AS4508M
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    SPEAKER 8OHM 1W 84DB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Тип
    General Purpose
  • Припинення
    Solder Pads
  • Технологія
    Magnetic
  • Розмір / розмір
    1.772" Dia (45.00mm)
  • Форма
    Round
  • Серія
    AS
  • Рейтинги
    -
  • Потужність - Оцінка
    1W
  • Потужність - Макс
    2W
  • Порт розташування
    Top
  • Упаковка
    Bulk
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Матеріал - магніт
    N35
  • Матеріал - конус
    Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Захист від вторжень
    -
  • Імпеданс
    8 Ohms
  • Висота - сидяча (макс.)
    0.205" (5.20mm)
  • Діапазон частот
    450Hz ~ 5kHz
  • Частота - самостійний резонанс
    450Hz
  • Ефективність - dBA
    84.00
  • Ефективність - тип
    Sound Pressure Level (SPL)
  • Ефективність - тестування
    1W/1M
  • Детальний опис
    8 Ohms General Purpose Speaker 1W 450Hz ~ 5kHz Top Round 84dB
AS4C128M16D2-25BCNTR

AS4C128M16D2-25BCNTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431HBZTR-G1

AS431HBZTR-G1

Опис: VREG SHUNT REGULATOR TO92

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS431IANTR-G1

AS431IANTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS431IAZTR-G1

AS431IAZTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ TO92

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS431HBNTR-G1

AS431HBNTR-G1

Опис: VREG SHUNT REGULATOR SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS4C128M16D3-12BANTR

AS4C128M16D3-12BANTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431IBNTR-G1

AS431IBNTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS431HMANTR-G1

AS431HMANTR-G1

Опис: IC VREG SHUNT REGULATOR SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS431IBZTR-G1

AS431IBZTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS431HMBNTR-G1

AS431HMBNTR-G1

Опис: VREG SHUNT REGULATOR SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS431IARTR-G1

AS431IARTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D3-12BAN

AS4C128M16D3-12BAN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D2A-25BINTR

AS4C128M16D2A-25BINTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D2A-25BCNTR

AS4C128M16D2A-25BCNTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D2-25BINTR

AS4C128M16D2-25BINTR

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS431IBRTR-G1

AS431IBRTR-G1

Опис: IC VREF SHUNT ADJ

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
AS4C128M16D2-25BCN

AS4C128M16D2-25BCN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

Опис: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти