Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NVR1P02T1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4040521Зображення NVR1P02T1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVR1P02T1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.166
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVR1P02T1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NVR1P02T1G.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    400mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    NVR1P02T1G-ND
    NVR1P02T1GOSTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    30 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    165pF @ 5V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    2.5nC @ 5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVR1P02T1G".
NVR5198NLT1G

NVR5198NLT1G

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI4712DY-T1-GE3

SI4712DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
STP10NM65N

STP10NM65N

Опис: MOSFET N-CH 650V 9A TO-220

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
DMP2240UWQ-7

DMP2240UWQ-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
NVR-04

NVR-04

Опис: WIRE TO BOARD CRIMP CONN 5.0MM

Виробники: JST
В наявності
RFQ
SQR70090ELR_GE3

SQR70090ELR_GE3

Опис: MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NVR-02

NVR-02

Опис: CONN RCP 2POS 5MM CRMP

Виробники: JST
В наявності
RFQ
NVR4003NT3G

NVR4003NT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V SOT-23-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDU8780_F071

FDU8780_F071

Опис: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
STP7NK40Z

STP7NK40Z

Опис: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
PMV280ENEAR

PMV280ENEAR

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
NVR5198NLT3G

NVR5198NLT3G

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVR4501NT1G

NVR4501NT1G

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5C468NLAFT1G

NVMFS5C468NLAFT1G

Опис: MOSFET N-CH 40V 13A 37A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IPI120N04S401AKSA1

IPI120N04S401AKSA1

Опис: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SUD35N10-26P-E3

SUD35N10-26P-E3

Опис: MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
BSZ146N10LS5ATMA1

BSZ146N10LS5ATMA1

Опис: MV POWER MOS

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
NVR5124PLT1G

NVR5124PLT1G

Опис: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
STW75NF30

STW75NF30

Опис: MOSFET N-CH 300V 60A TO-247

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.