Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > NSBA123EF3T5G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3987632Зображення NSBA123EF3T5GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA123EF3T5G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
8000+
$0.098
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NSBA123EF3T5G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS DUAL PNP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NSBA123EF3T5G.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-1123
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    2.2 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    2.2 kOhms
  • Потужність - Макс
    254mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-1123
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    13 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    8 @ 5mA, 10V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NSBA123EF3T5G".
NSBA123JDXV6T1G

NSBA123JDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA115TF3T5G

NSBA115TF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123TF3T5G

NSBA123TF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123JF3T5G

NSBA123JF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114YDP6T5G

NSBA114YDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123EDXV6T1

NSBA123EDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA124EDP6T5G

NSBA124EDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114YF3T5G

NSBA114YF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123JDP6T5G

NSBA123JDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA124EDXV6T1

NSBA124EDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123JDXV6T1

NSBA123JDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123JDXV6T5G

NSBA123JDXV6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA124EDXV6T1G

NSBA124EDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123TDP6T5G

NSBA123TDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA115TDP6T5G

NSBA115TDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.