Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > NSBA115EDXV6T1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5168858Зображення NSBA115EDXV6T1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA115EDXV6T1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
4000+
$0.114
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NSBA115EDXV6T1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NSBA115EDXV6T1G.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-563
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    100 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    100 kOhms
  • Потужність - Макс
    500mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Інші імена
    NSBA115EDXV6T1G-ND
    NSBA115EDXV6T1GOSTR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    5 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    -
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базової частини
    NSBA1*

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NSBA115EDXV6T1G".
NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123JDXV6T1

NSBA123JDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123JDP6T5G

NSBA123JDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123JDXV6T5G

NSBA123JDXV6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA115TF3T5G

NSBA115TF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123EDXV6T1

NSBA123EDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123JF3T5G

NSBA123JF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123JDXV6T1G

NSBA123JDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114YDP6T5G

NSBA114YDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114YDXV6T1

NSBA114YDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA115TDP6T5G

NSBA115TDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114YF3T5G

NSBA114YF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA123EF3T5G

NSBA123EF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.