Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > NSBA113EDXV6T1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
198851Зображення NSBA113EDXV6T1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
4000+
$0.104
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NSBA113EDXV6T1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NSBA113EDXV6T1G.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    1 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    1 kOhms
  • Потужність - Макс
    250mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    13 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    -
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    3 @ 5mA, 10V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29

Тарифна загроза Трампа, Nvidia, пос...

2024/11/28

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NSBA113EDXV6T1G".
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSB9703

NSB9703

Опис: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Виробники: Desco
В наявності
RFQ
NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Опис: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.