Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні > MJD31C1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3293495Зображення MJD31C1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD31C1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.46
75+
$0.369
150+
$0.295
525+
$0.232
1050+
$0.179
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MJD31C1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS NPN 100V 3A IPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    MJD31C1G.pdf
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    100V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Тип транзистора
    NPN
  • Пакет пристрою постачальника
    I-PAK
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    1.56W
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Інші імена
    MJD31C1G-ND
    MJD31C1GOS
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    2 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    3MHz
  • Детальний опис
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    50µA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    3A
  • Номер базової частини
    MJD31

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MJD31C1G".
MJD3055T4

MJD3055T4

Опис: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
MJD31CRLG

MJD31CRLG

Опис: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD3055T4G

MJD3055T4G

Опис: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD3055T4

MJD3055T4

Опис: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD31C

MJD31C

Опис: TRANS NPN 100V 3A D-PAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
MJD31CQ-13

MJD31CQ-13

Опис: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
MJD31C1

MJD31C1

Опис: TRANS NPN 100V 3A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD31CT4-A

MJD31CT4-A

Опис: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
MJD31CG

MJD31CG

Опис: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD3055

MJD3055

Опис: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD31CT4G

MJD31CT4G

Опис: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD31CT4

MJD31CT4

Опис: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD29CTF

MJD29CTF

Опис: TRANS NPN 100V 1A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD3055TF

MJD3055TF

Опис: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD31CRL

MJD31CRL

Опис: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD31CT4

MJD31CT4

Опис: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
MJD31CITU

MJD31CITU

Опис: TRANS NPN 100V 3A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD31CETF

MJD31CETF

Опис: TRANS NPN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD31C-13

MJD31C-13

Опис: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
MJD3055G

MJD3055G

Опис: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.