Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Ізолятори > Оптоізолятори - транзистор, фотогальванічний вихід > H11G2VM
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5667722Зображення H11G2VMAMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G2VM

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.12
10+
$0.906
100+
$0.627
500+
$0.474
1000+
$0.39
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    H11G2VM
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    H11G2VM.pdf
  • Модель ECAD
  • Напруга - вихід (Макс)
    80V
  • Напруга - ізоляція
    4170Vrms
  • Напруга - вперед (Vf) (тип)
    1.3V
  • Насиченість Vce (Макс)
    1V
  • Ввімкнути / вимкнути час (тип)
    5µs, 100µs
  • Пакет пристрою постачальника
    6-DIP
  • Серія
    -
  • Час підйому / падіння (тип)
    -
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Тип виводу
    Darlington with Base
  • Робоча температура
    -40°C ~ 100°C
  • Кількість каналів
    1
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    DC
  • Детальний опис
    Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Коефіцієнт передачі струму (мін)
    1000% @ 10mA
  • Коефіцієнт поточного передавання (макс.)
    -
  • Поточний - вихід / канал
    -
  • Поточний - DC Вперед (якщо) (Макс)
    60mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29

Тарифна загроза Трампа, Nvidia, пос...

2024/11/28

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "H11G2VM".
H11G2SD

H11G2SD

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G3

H11G3

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G33S

H11G33S

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G3300W

H11G3300W

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G3M

H11G3M

Опис: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2TVM

H11G2TVM

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2SR2M

H11G2SR2M

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2W

H11G2W

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G3S

H11G3S

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G3SR2M

H11G3SR2M

Опис: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2SM

H11G2SM

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2M_F132

H11G2M_F132

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G23SD

H11G23SD

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G3SD

H11G3SD

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2SVM

H11G2SVM

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2S

H11G2S

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G3300

H11G3300

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2M

H11G2M

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G33SD

H11G33SD

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2SR2VM

H11G2SR2VM

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.