Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FQD2N80TM_WS
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4652154

FQD2N80TM_WS

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FQD2N80TM_WS
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FQD2N80TM_WS.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D-Pak
  • Серія
    QFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    6.3 Ohm @ 900mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    550pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    800V
  • Детальний опис
    N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FQD2N80TM_WS".
FQD30N06TF_F080

FQD30N06TF_F080

Опис: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60CTF_F080

FQD2N60CTF_F080

Опис: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N50TM

FQD2N50TM

Опис: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Опис: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2P40TM

FQD2P40TM

Опис: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD30N06LTM

FQD30N06LTM

Опис: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60CTM-WS

FQD2N60CTM-WS

Опис: MOSFET N-CH 600V 1.9A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N90TM

FQD2N90TM

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N50TF

FQD2N50TF

Опис: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60TF

FQD2N60TF

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N80TM

FQD2N80TM

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2P40TF

FQD2P40TF

Опис: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60CTF

FQD2N60CTF

Опис: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2P40TF_F080

FQD2P40TF_F080

Опис: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD30N06TF

FQD30N06TF

Опис: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N80TF

FQD2N80TF

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60TM

FQD2N60TM

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N90TF

FQD2N90TF

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60CTM

FQD2N60CTM

Опис: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD30N06LTF

FQD30N06LTF

Опис: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.