Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FQD2N60CTM-WS
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4750631

FQD2N60CTM-WS

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.16
10+
$1.026
100+
$0.811
500+
$0.629
1000+
$0.497
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FQD2N60CTM-WS
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 1.9A
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FQD2N60CTM-WS.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D-Pak
  • Серія
    QFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.7 Ohm @ 950mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.5W (Ta), 44W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    FQD2N60CTM-WSDKR
    FQD2N60CTM_WSDKR
    FQD2N60CTM_WSDKR-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    11 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    235pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.9A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FQD2N60CTM-WS".
FQD2N60CTF

FQD2N60CTF

Опис: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60TF

FQD2N60TF

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60TM

FQD2N60TM

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N40TF

FQD2N40TF

Опис: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N100TM

FQD2N100TM

Опис: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N30TM

FQD2N30TM

Опис: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N80TM

FQD2N80TM

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2P40TF

FQD2P40TF

Опис: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2P40TF_F080

FQD2P40TF_F080

Опис: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N90TM

FQD2N90TM

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N100TF

FQD2N100TF

Опис: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N80TM_WS

FQD2N80TM_WS

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N90TF

FQD2N90TF

Опис: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60CTM

FQD2N60CTM

Опис: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2P40TM

FQD2P40TM

Опис: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N50TF

FQD2N50TF

Опис: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N60CTF_F080

FQD2N60CTF_F080

Опис: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N80TF

FQD2N80TF

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N50TM

FQD2N50TM

Опис: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD2N40TM

FQD2N40TM

Опис: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.