Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDI33N25TU
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3370671

FDI33N25TU

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDI33N25TU
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDI33N25TU.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    I2PAK (TO-262)
  • Серія
    UniFET™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    94 mOhm @ 16.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    235W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2135pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    250V
  • Детальний опис
    N-Channel 250V 33A (Tc) 235W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    33A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDI33N25TU".
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI3652

FDI3652

Опис: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI14-187Q

FDI14-187Q

Опис: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDI040N06

FDI040N06

Опис: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI9406-F085

FDI9406-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI8442

FDI8442

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI14-250Q

FDI14-250Q

Опис: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDI10-250Q

FDI10-250Q

Опис: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDI18-187Q

FDI18-187Q

Опис: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDI18-250Q

FDI18-250Q

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDI8441_F085

FDI8441_F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI045N10A

FDI045N10A

Опис: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI9409-F085

FDI9409-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI2532

FDI2532

Опис: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI047AN08A0

FDI047AN08A0

Опис: MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI14-250C

FDI14-250C

Опис: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDI8441

FDI8441

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI150N10

FDI150N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102

Опис: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDI3632

FDI3632

Опис: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.