Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Лінія картки > SemiQ
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна

SemiQ

SemiQ

Вступ

SemiQ - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), заснована в 2007 році, є інтегрованою розробкою та виробничою компанією, що спеціалізується на продуктах на основі кремній карбіду (SiC). Ці продукти будуть основними для енергетичної електроніки та енергетичної промисловості в майбутньому, коли необхідні передові технології для дешевої, високоефективної генерації, конверсії та передачі електроенергії.

Пов'язані новини

Категорія
7
Продукти
373

Дискретні напівпровідникові продукти

GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 285A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D005A060A

GP2D005A060A

Опис: DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD080A018S1-D3

GSXD080A018S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Опис: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D020A060U

GP2D020A060U

Опис: DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD050A015S1-D3

GSXD050A015S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Опис: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD120A010S1-D3

GSXD120A010S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GCMS004A120S7B1

GCMS004A120S7B1

Опис: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD060A018S1-D3

GSXD060A018S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GPI040A060MN-FD

GPI040A060MN-FD

Опис: IGBT 600V 80A 231W TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

Опис: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D012A060D

GP2D012A060D

Опис: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO263-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

Опис: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHXS050A170S-D3

GHXS050A170S-D3

Опис: 1700V 50A SIC SBD PARALLEL

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D005A065A

GP2D005A065A

Опис: DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Опис: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D010A060A

GP2D010A060A

Опис: SCHOTTKY DIODE 600V 10A TO-220-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD100A008S1-D3

GSXD100A008S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

Опис: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Опис: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Опис: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Опис: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Опис: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M006A070F

GP1M006A070F

Опис: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Опис: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD080A015S1-D3

GSXD080A015S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

Опис: IGBT MODULE 1200V 170A

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Опис: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M007A090H

GP1M007A090H

Опис: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHXS015A120S-D1E

GHXS015A120S-D1E

Опис: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHIS030A120S-A2

GHIS030A120S-A2

Опис: IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D020A065U

GP2D020A065U

Опис: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXF060A120S1-D3

GSXF060A120S1-D3

Опис: DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Опис: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M006A070FH

GP1M006A070FH

Опис: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHXS010A060S-D1E

GHXS010A060S-D1E

Опис: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GCMS040A120B1H1

GCMS040A120B1H1

Опис: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHXS020A060S-D1E

GHXS020A060S-D1E

Опис: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D006A060A

GP2D006A060A

Опис: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GCMS080A120S1-E1

GCMS080A120S1-E1

Опис: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHXS030A060S-D3

GHXS030A060S-D3

Опис: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Опис: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D030A120B

GP2D030A120B

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти