Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > GP1M006A070F
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4215177Зображення GP1M006A070FGlobal Power Technologies Group

GP1M006A070F

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GP1M006A070F
  • Виробник / марка
    SemiQ
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    GP1M006A070F.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220F
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.65 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    39W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1500pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    700V
  • Детальний опис
    N-Channel 700V 5A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5A (Tc)

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "GP1M006A070F".
GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Опис: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M006A065F

GP1M006A065F

Опис: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M006A070FH

GP1M006A070FH

Опис: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Опис: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

Опис: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Опис: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Опис: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

Опис: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

Опис: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M005A050H

GP1M005A050H

Опис: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Опис: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M007A090H

GP1M007A090H

Опис: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Опис: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M005A050PH

GP1M005A050PH

Опис: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Опис: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

Опис: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.