Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Лінія картки > SemiQ
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна

SemiQ

SemiQ

Вступ

SemiQ - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), заснована в 2007 році, є інтегрованою розробкою та виробничою компанією, що спеціалізується на продуктах на основі кремній карбіду (SiC). Ці продукти будуть основними для енергетичної електроніки та енергетичної промисловості в майбутньому, коли необхідні передові технології для дешевої, високоефективної генерації, конверсії та передачі електроенергії.

Пов'язані новини

Категорія
7
Продукти
373

Дискретні напівпровідникові продукти

GP2D012A060A

GP2D012A060A

Опис: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD060A015S1-D3

GSXD060A015S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHIS100A120T2C1

GHIS100A120T2C1

Опис: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GDP60P120B

GDP60P120B

Опис: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Опис: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXF030A120S1-D3

GSXF030A120S1-D3

Опис: DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Опис: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Опис: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Опис: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHXS030A060S-D4

GHXS030A060S-D4

Опис: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD160A008S1-D3

GSXD160A008S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M009A070F

GP1M009A070F

Опис: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD120A012S1-D3

GSXD120A012S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD050A008S1-D3

GSXD050A008S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHXS045A120S-D1E

GHXS045A120S-D1E

Опис: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD050A018S1-D3

GSXD050A018S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD050A006S1-D3

GSXD050A006S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

Опис: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Опис: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Опис: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M005A060PG

GP2M005A060PG

Опис: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

Опис: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Опис: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M011A050HS

GP1M011A050HS

Опис: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD060A004S1-D3

GSXD060A004S1-D3

Опис: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHIS080A120S-A2

GHIS080A120S-A2

Опис: IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D012A065A

GP2D012A065A

Опис: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Опис: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHXS015A120S-D1

GHXS015A120S-D1

Опис: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Опис: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

Опис: SILICON IGBT MODULES

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D010A120A

GP2D010A120A

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHXS030A060S-D1E

GHXS030A060S-D1E

Опис: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GDP15S120A

GDP15S120A

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GHIS060A060S-A2

GHIS060A060S-A2

Опис: IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXD300A170S2D5

GSXD300A170S2D5

Опис: DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M005A050H

GP1M005A050H

Опис: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

Опис: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Опис: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP1M010A080N

GP1M010A080N

Опис: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Опис: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXF120A100S1-D3

GSXF120A100S1-D3

Опис: DIODE FAST REC 1000V 120A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2D005A120A

GP2D005A120A

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXF060A040S1-D3

GSXF060A040S1-D3

Опис: DIODE FAST REC 400V 60A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GSXF100A040S1-D3

GSXF100A040S1-D3

Опис: DIODE FAST REC 400V 100A SOT227

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
GP3D050A120B

GP3D050A120B

Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти