Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > GP1M008A050PG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5432800Зображення GP1M008A050PGGlobal Power Technologies Group

GP1M008A050PG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    GP1M008A050PG
  • Виробник / марка
    SemiQ
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    GP1M008A050PG.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    I-PAK
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    850 mOhm @ 4A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    120W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    937pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    500V
  • Детальний опис
    N-Channel 500V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "GP1M008A050PG".
GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Опис: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Опис: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M007A090H

GP1M007A090H

Опис: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

Опис: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Опис: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Опис: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Опис: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Опис: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Опис: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Опис: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.