Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > W987D2HBJX6I
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5998810Зображення W987D2HBJX6IWinbond Electronics Corporation

W987D2HBJX6I

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
240+
$2.84
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    W987D2HBJX6I
  • Виробник / марка
    Winbond Electronics Corporation
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    W987D2HBJX6I.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Технологія
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Пакет пристрою постачальника
    90-VFBGA (8x13)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tray
  • Пакет / Корпус
    90-TFBGA
  • Робоча температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    128Mb (4M x 32)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Часова частота
    166MHz
  • Час доступу
    5.4ns

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "W987D2HBJX6I".
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9864G6KH-5

W9864G6KH-5

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D2HBJX6E

W987D2HBJX6E

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9864G6KH-6I

W9864G6KH-6I

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9864G6KH-5 TR

W9864G6KH-5 TR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9864G6KH-6I TR

W9864G6KH-6I TR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9864G6KH-6

W9864G6KH-6

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9864G6JH-6I

W9864G6JH-6I

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9864G6JT-6

W9864G6JT-6

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W9864G6KH-6 TR

W9864G6KH-6 TR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Виробники: Winbond Electronics Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.