Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHB22N65E-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4693659Зображення SIHB22N65E-GE3Vishay Siliconix

SIHB22N65E-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$4.81
10+
$4.323
25+
$4.087
100+
$3.542
250+
$3.361
500+
$3.015
1000+
$2.543
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHB22N65E-GE3
  • Виробник / марка
    Vishay / Siliconix
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIHB22N65E-GE3.pdf
  • Напруга - випробування
    2415pF @ 100V
  • Напруга - розбивка
    D2PAK
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    180 mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (Макс)
    10V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серія
    -
  • Статус RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    22A (Tc)
  • Поляризація
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    SIHB22N65E-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    19 Weeks
  • Номер деталі виробника
    SIHB22N65E-GE3
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    110nC @ 10V
  • Тип IGBT
    ±30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Особливість FET
    N-Channel
  • Розгорнутий опис
    N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    -
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    650V
  • Коефіцієнт ємності
    227W (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHB22N65E-GE3".
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Опис: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.