Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIA431DJ-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
524204Зображення SIA431DJ-T1-GE3Vishay Siliconix

SIA431DJ-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.228
6000+
$0.213
15000+
$0.205
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIA431DJ-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Vishay / Siliconix
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIA431DJ-T1-GE3.pdf
  • Напруга - випробування
    1700pF @ 10V
  • Напруга - розбивка
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Vgs (Макс)
    1.5V, 4.5V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Статус RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    12A (Tc)
  • Поляризація
    PowerPAK® SC-70-6
  • Інші імена
    SIA431DJ-T1-GE3-ND
    SIA431DJ-T1-GE3TR
    SIA431DJT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    24 Weeks
  • Номер деталі виробника
    SIA431DJ-T1-GE3
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    60nC @ 8V
  • Тип IGBT
    ±8V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    850mV @ 250µA
  • Особливість FET
    P-Channel
  • Розгорнутий опис
    P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    -
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    20V
  • Коефіцієнт ємності
    3.5W (Ta), 19W (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIA431DJ-T1-GE3".
SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA443DJ-T1-E3

SIA443DJ-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA439EDJ-T1-GE3

SIA439EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA438EDJ-T1-GE3

SIA438EDJ-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA443DJ-T1-GE3

SIA443DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.